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下载产品资料PAMOCVD等离子辅助金属有机物化学气相沉积
NANO-MASTER已经研发出世界上第一台台式等离子辅助金属有机物化学气相沉积系统，可用于GaN, InGaN和AlGaN等的沉积工艺。在这套独一无二的系统中，配套等离子源，N2用来替代NH3气体用于生长氮化物，这使得工艺无需对NH3气体进行尾气处理，节省后期尾气处理的很多成本，同时也降低了薄膜中的氢含量。通过RF淋浴头等离子源的等离子增强也允许客户在更低的温度下沉积（从1100°C下降到600°C左右），这使得这个工艺可以在一个台式系统中实现。
生产中更高的产能，可以通过集群配置来实现。
- 特点
- 选配
- 应用
** 台式系统
** 10”不锈钢腔体
** 带淋浴头气流分布的射频等离子源
** 自动调谐器
** 4”基片夹具，可加热到900°C
** 5个鼓泡器带各自的冷却/加热槽
** 加热气体管路
** 增加MFC
** 260L/Sec抽速的涡轮分子泵组
** 可达5×10-7Torr的极限真空
** 全自动计算机控制，菜单驱动
** LabVIEW友好用户界面
** EMO和安全互锁
** 10”不锈钢腔体
** 带淋浴头气流分布的射频等离子源
** 自动调谐器
** 4”基片夹具，可加热到900°C
** 5个鼓泡器带各自的冷却/加热槽
** 加热气体管路
** 增加MFC
** 260L/Sec抽速的涡轮分子泵组
** 可达5×10-7Torr的极限真空
** 全自动计算机控制，菜单驱动
** LabVIEW友好用户界面
** EMO和安全互锁
